Intel costruirà la seconda Fab per la lavorazione dei wafer di silicio da 300mm con processo a 45 nanometri. Sarà la Fab 28 e sarà a Kiryat Gat in Israele, per un costo di realizzazione di 3.5 miliardi di $.

Intel consolida così il proprio primato sul processo produttivo a 0.45 micron.

La costrizione comincerà subito, mentre la conclusione e l'entrata in produzione sono previste per il 2008. Si tratta della settima factory di Intel per i wafer da 300mm, di cui 5 già operanti (in Oregon, Arizona, New Mexico e Irlanda) e una in costruzione in Arizona (annuncio di Luglio 2005, vedi la news).
La produzione di chip con wafer da 300mm rispetto ai tradizionali wafer da 200mm permette di ottenere il 240% dei chip. La fabbricazione dei wafer da 300mm richiede poi il 40% in meno di acqua ed energia ripetto ai 200mm.

Con una superficie interna di circa 20.000 metri quadri, darà lavoro a regime a 2.000 dipendenti Intel. Il governo israeliano sta fornendo incentivi finanziari per la realizzazione.


Fonte: comunicato stampa Intel