Micron è il secondo importante produttore di DRAM ad annunciare la vendita dei sample dei moduli DDR3 di prossima generazione, affermando di essere la prima azienda a vendere dispositivi da 1 Gb con capacità fino a 2 GB. Le DDR3 promettono velocità doppie rispetto alle attuali DDR2 e sono attese sui computer di fascia alta nel tardo 2007.

La transizione da DDR1 a DDR2 è iniziata tre anni fa con lo sviluppo da parte di Hynix del primo dispositivo DDR2 da 1 Gb nell'agosto del 2003 ed è entrata nella sua fase conclusiva con l'introduzione da parte di AMD delle proposte Socket AM2. Con il supporto di AMD alle DDR2-800, le nuove memorie sono diventate molto più abbordabili al pubblico, tanto che un nuovo standard di memoria si affaccia all'orizzonte.

Seguentemente agli annunci dei prototipi di Samsung e dei sample venduti da Elpida a Intel, Micron rende disponibili i suoi chip di memoria DDR3 da 1 Gb. Prodotti a 78 nanometri saranno venduti in capacità di 512 MB, 1 GB e 2 GB; le proposte iniziali saranno rappresentate dai moduli DDR3-800 e DDR3-1066. Micron afferma che ci potrebbero essere rese più limitate per moduli DDR3-1333.

Le DDR3 per gli utenti finali ancora non esistono, come non esistono piattaforme commerciali che le supportano. Tuttavia secondo quanto affermato da fonti industriali, gli sviluppatori di chip (inclusa Intel) stanno sviluppando piattaforme con supporto DDR3 già per il prossimo anno.

Intel ha già ricevuto come scritto sopra i primi sample DDR3 da Elpida nello scorso novembre, e ha tutta l'intenzione di introdurne il supporto nella seconda metà del prossimo anno. Le roadmap suggeriscono che l'azienda pensa che le DDR2 e le DDR3 coesisteranno per un anno e poi si passerà completamente alle DDR3 all'inizio del 2009. Le DDR3-1333 diventeranno lo standard di memoria Intel nel tardo 2008.

Oltre alle prestazioni superiori, le DDR3 offrono vantaggi per quanto riguarda i consumi, che passeranno dagli 1.8 volt delle DDR2 ai 1.5 volt delle DDR3.

Micron afferma che la densità di 1 Gb permetterà ai produttori di memoria di raggiungere capienze di 4 GB per modulo.

Fonte : Samsung