Su EE Times si parla di un nuovo processo produttivo in studio avanzato alla TSMC.
Si tratta di un nuovo tipo di transistor, denominato FinFET e di cui si era già occupata anche IBM, che in un sample già realizzato ha lunghezza di canale di 0.035 micron contro gli attuali 0.13.
Inoltre ne hanno già affinato il processo in modo da arrivare a 0.025 micron.
I ricercatori di TSMC, attraverso simulazioni, ritengono si possa scendere in futuro con questa tecnica fino a 0.009 micron, risolvendo i problemi legati all'eccessiva miniaturizzazione per diversi anni.